近年来，硫系相变材料与硅光波导集成的非易失性存储器件在神经形态存内计算应用方面取得了重要进展。相变材料在电脉冲或激光脉冲诱导下可发生快速可逆结构相变，产生非易失的电学或光学性质差异，被认为是实现非冯诺依曼计算架构的重要材料之一。得益于130 nm CMOS工艺线的光子集成线路制造工艺、深紫外光刻技术、电子束直写技术与晶圆级相变材料薄膜溅射技术的发展，该类非冯诺依曼计算元件有望实现大规模制造，在未来运行先进机器学习算法时可利用超大带宽、高速和波分复用并行计算优势，从而大幅提升算力。近期，西安交通大学材料创新设计中心团队在SCI期刊《极端制造》（International Journal of Extreme Manufacturing

IJEM）上发表名为《Fabrication and integration of photonic devices for phase-change memory and neuromorphic computing》的综述。该综述概述了基于集成硅光波导的相变存储光功能器件与神经形态光计算系统的最新进展，讨论了实现先进器件性能的制造与集成工艺，并展望了未来基于相变材料的光存储与光计算器件的应用与挑战。